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ROHM开发出内置SiC二极管的IGBT有助降低车载和工业设备功耗

  全球知名半导体制造商ROHM 开发出650V耐压、内置SiC肖特基势垒二极管的IGBT“RGWxx65C系列”,且均符合汽车电子产品可靠性标准“AEC-Q101*1”。该产品适用于以电气化车辆为首的电动汽车中的车载充电器和DC/DC转换器以及太阳能发电用的功率调节器等处理大功率的汽车电子设备和工业设备。
  ROHM致力于为广泛的应用提供有效的电源解决方案,不仅专注于行业先进的SiC功率元器件,还积极推动Si功率元器件和驱动IC的技术及产品开发。此次,开发了能够为普及中的车载、工业设备提供更高性价比的Hybrid IGBT。“RGWxx65C系列”是Hybrid型IGBT,在IGBT*2的反馈单元中采用了ROHM的低损耗SiC肖特基势垒二极管,成功大幅降低以往IGBT产品导通时的开关损耗。